د بیټرۍ مدیریت سیسټمونو (BMS) کې د BJTs او MOSFETs ترمنځ توپیرونه

1. Bipolar Junction Transistors (BJTs):

(۱) جوړښت:BJTs د سیمی کنډکټر وسایل دي چې درې الیکټروډونه لري: بیس، ایمیټر، او راټولونکی. دوی په عمده توګه د سیګنالونو پراخولو یا بدلولو لپاره کارول کیږي. BJTs بیس ته یو کوچني ننوت جریان ته اړتیا لري ترڅو د راټولونکي او ایمیټر ترمینځ لوی جریان کنټرول کړي.

(2) په BMS کې فعالیت: In BMSغوښتنلیکونه، BJTs د دوی د اوسني لوړولو وړتیاو لپاره کارول کیږي. دوی په سیسټم کې د اوسني جریان اداره کولو او تنظیم کولو کې مرسته کوي ، ډاډ ترلاسه کوي چې بیټرۍ چارج شوي او په مؤثره او خوندي ډول خارج شوي.

(۳) ځانګړتیاوې:BJTs لوړه اوسنۍ لاسته راوړنه لري او په غوښتنلیکونو کې خورا مؤثره دي چې دقیق اوسني کنټرول ته اړتیا لري. دوی عموما د تودوخې شرایطو سره ډیر حساس دي او د MOSFETs په پرتله د بریښنا د لوړ ضایع کیدو سره مخ کیدی شي.

2. د فلزي-اکسایډ-سیمیکنډکټر فیلډ-اثر ټرانزیسټرونه (MOSFETs):

(۱) جوړښت:MOSFETs د سیمی کنډکټر وسایل دي چې درې ټرمینالونه لري: دروازه، سرچینه، او ډرین. دوی ولتاژ کاروي ترڅو د سرچینې او اوبو تر مینځ د جریان جریان کنټرول کړي ، دوی د غوښتنلیکونو بدلولو کې خورا مؤثره کوي.

(2) فعالیت په کېBMS:په BMS غوښتنلیکونو کې، MOSFETs اکثرا د دوی د اغیزمن بدلولو وړتیاو لپاره کارول کیږي. دوی کولی شي په چټکۍ سره چالان او بند کړي، د لږ مقاومت او بریښنا ضایع کیدو سره د جریان جریان کنټرول کړي. دا دوی د بیټرۍ د ډیر چارج ، ډیر خارج کیدو ، او شارټ سرکیټونو څخه د بیټرۍ ساتلو لپاره مثالی کوي.

(۳) ځانګړتیاوې:MOSFETs د انډول لوړ خنډ او ټیټ مقاومت لري، دوی د BJTs په پرتله د ټیټ تودوخې تحلیل سره خورا اغیزمن کوي. دوی په ځانګړي ډول د BMS دننه د لوړ سرعت او لوړ موثریت سویچنګ غوښتنلیکونو لپاره مناسب دي.

لنډیز:

• BJTsد غوښتنلیکونو لپاره غوره دي چې دقیق اوسني کنټرول ته اړتیا لري د دوی د لوړ اوسني لاسته راوړنې له امله.
• MOSFETsد ټیټ تودوخې تحلیل سره د مؤثره او ګړندي سویچ کولو لپاره غوره کیږي ، دا د بیټرۍ عملیاتو ساتنې او اداره کولو لپاره غوره کويBMS.